نفوذپذیری غشای یاخته عصبی نسبت به یونهای مختلف، به ویژه پتاسیم (K⁺) و سدیم (Na⁺)، اهمیت زیادی در فعالیتهای الکتریکی یاختههای عصبی دارد. در حالت استراحت، غشای یاختههای عصبی بیشتر به پتاسیم نفوذپذیر است تا به سدیم. این به دلیل وجود کانالهای پتاسیمی بیشتر در غشای یاختههای عصبی است.
زمانی که یاخته عصبی در حالت استراحت قرار دارد (پتانسیل استراحت)، غشای آن به پتاسیم اجازه میدهد تا به راحتی از داخل یاخته به خارج حرکت کند، که این امر به ایجاد یک پتانسیل منفی داخلی یاری میرساند. در نتیجه، غشای یاخته به پتاسیم نفوذپذیری بیشتری دارد، که کمک میکند تا پتانسیل استراحت حفظ شود.
در عین حال، در شرایطی که یاخته عصبی تحریک میشود، کانالهای سدیمی باز میشوند و اجازه میدهند تا سدیم به داخل یاخته نفوذ کند، که منجر به تغییرات در پتانسیل غشا و ایجاد پتانسیل عمل میشود.
بنابراین، پاسخ به این سوال که «نفوذپذیری غشای یاخته عصبی همواره به پتاسیم بیشتر است» مثبت است، اما باید در نظر داشته باشید که در شرایط خاص (مثلاً هنگام وقوع پتانسیل عمل) این نفوذپذیری تغییر میکند.